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SI3430DV-T1-GE3  与  BSL296SN H6327  区别

型号 SI3430DV-T1-GE3 BSL296SN H6327
唯样编号 A3-SI3430DV-T1-GE3 A-BSL296SN H6327
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TSOT-23-6 PG-TSOP6-6
功率耗散Pd 1.14W(Ta) -
连续漏极电流Id 1.8A(Ta) -
工作温度 -55°C~150°C -
漏源极电压Vds 100V -
产品特性 - 车规
Vgs(最大值) ±20V -
导通电阻Rds(On) 170 mOhms @ 2.4A,10V -
Vgs(th) 2V @ 250uA(最小) -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3430DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

1.8A(Ta) N-Channel 170 mOhms @ 2.4A,10V 1.14W(Ta) TSOT-23-6 -55°C~150°C 100V

暂无价格 3,000 当前型号
BSL296SN H6327 Infineon 小信号MOSFET

PG-TSOP6-6 车规

暂无价格 0 对比

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